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中科院微电子所Henry研究员来我校讲学
时间:2020-11-24 作者:张静 来源:信息学院

11月19日,应信息学院邀请,中国科学院微电子研究所Henry研究员为我校师生做了题为《NAN TECH——discovery of transistor to emerging of nanotechnology》的学术讲座。

Henry研究员首先介绍了他们团队的一些工作,然后回顾了纳米技术的发展历程,特别是从集成电路的兴起发展到纳米技术在集成电路中应用的历程。讲座中,Henry研究员以集成电路中的场效应晶体管为例,用水管导通关闭类比于场效应晶体管的导通与关断,简单明了地阐述了场效应晶体管的工作原理,师生反响良好。讲座由电子系副主任张静教授主持,60余名师生现场聆听了讲座。

Henry Homayoun Radamson,1996年在瑞典林雪平大学取得半导体物理学博士学位,现任中国科学院微电子研究所研究员,主要研究Ge、GeSn和GeSi材料生长及相关应用;曾任瑞典皇家理工学院高级研究员,负责爱立信高频SiGe双极晶体管项目;曾于2011年和2018年,两次获得瑞典先进IR技术创新奖;在国际期刊上发表SCI论文220余篇,出版专著2部,拥有美国和欧洲专利授权多项。

编辑:左芳舟

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